Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5551RLRM

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5551

2N5551RLRM Hakkında

2N5551RLRM, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-92 paketinde sunulan bu komponent, 160V Vce(max) ve 600mA Ic(max) ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ile ses ve RF frekans uygulamalarında da tercih edilir. 625mW maksimum güç tüketimi ile genel sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve kontrol devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arası geniş işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir. Obsolete statüsü nedeniyle yeni tasarımlarda yerine kullanılabilir alternatif komponentlerin değerlendirilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92 (TO-226)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok