Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5551RLRA
TRANS NPN 160V 0.6A TO92
2N5551RLRA Hakkında
2N5551RLRA, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, 160V kollektor-emiter gerilimi ve 600mA maksimum kollektor akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 625mW maksimum güç dağıtımı ve 300MHz geçiş frekansı ile ses frekansı ve düşük frekans RF devrelerinde uygun performans sunar. 80 minimum DC akım kazancı (hFE) 10mA kollektor akımında ve 5V Vce'de sağlanır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir. Anahtarlama, amplifikasyon ve genel amaçlı transistor uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok