Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5551RL1G
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
2N5551RL1G Hakkında
2N5551RL1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör olup, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 160V Vce(br) ile yüksek voltaj işletme koşullarına dayanabilir. 600mA maksimum kollektör akımı ve 625mW güç sınırlaması ile orta güç uygulamalarına uygundur. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarında kullanılabilir. TO-92 Through Hole paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikatörleri, DC motor kontrolü, güç kaynakları ve genel sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Part status obsolete olduğundan yerini alan aktif alternatifler tercih edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok