Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5551G
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5551
2N5551G Hakkında
2N5551G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar bağlaç transistörüdür. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 160V maksimum Vce (Collector-Emitter) voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 300MHz transition frequency'si sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 625mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 80 (minimum, 10mA Ic ve 5V Vce koşullarında) olarak belirlenmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Saturation voltajı 200mV'dir (5mA Ib, 50mA Ic). Genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve düşük frekans uygulamalarında tercih edilen klasik bir transistör tasarımıdır. Söküm teknolojisine dayanan Through Hole montaj türü ile kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok