Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5551,412
TRANS NPN 160V 0.3A TO-92
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5551
2N5551,412 Hakkında
2N5551, NXP Semiconductors tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-92 paket türünde sunulan bu bileşen, maksimum 160V kolektör-emitter gerilimi ve 300mA kolektör akımına dayanıklıdır. 300MHz geçiş frekansı ile orta hızlı uygulamalara uygundur. 630mW güç yayma kapasitesi ile amplifikasyon, switching ve sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V koşullarında minimum 80 değerindedir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Düşük gürültü ve güvenilir performans nedeniyle endüstriyel elektronik, tüketici cihazları ve telekomünikasyon devreleri tasarımında tercih edilir. Transistor kolektör-emitter doyma gerilimi 200mV olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 630 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok