Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5551,116

TRANS NPN 160V 0.3A TO-92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5551

2N5551,116 Hakkında

2N5551, NXP Semiconductors tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 160V breakdown voltajı ve 300mA maksimum collector akımı ile orta-güç uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency'si ile moderate hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 80 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 10mA collector akımında 5V Vce'de stabil amplifikasyon sağlar. Maksimum 630mW güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Endüstriyel kontrol devreleri, sinyal amplifikasyonu ve switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmiştir. Through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 630 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok