Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5551 TIN/LEAD
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5551
2N5551 TIN/LEAD Hakkında
2N5551, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 160V collector-emitter breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 300MHz geçiş frekansı ve 625mW maksimum güç dissipasyonu özellikleri ile düşük-orta güç elektronik devrelerde tercih edilir. Audio amplifikatörleri, sinyal işleme, anahtarlama devrelerinde ve genel elektronik tasarımlarda yaygın olarak uygulanır. -65°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok