Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5551
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5551
2N5551 Hakkında
2N5551, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal NPN bipolar transistördür. Through-hole montaj için TO-92 (TO-226) kasada sunulan bu komponent, 600mA maksimum kolektör akımı ve 625mW güç dağıtım kapasitesi ile RF amplifikatörleri, sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 300MHz geçiş frekansı, 160V VCEO breakdown voltajı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. Minimum 80 hFE (10mA, 5V'de) kazancı ve 200mV doyma voltajı (5mA taban, 50mA kolektör akımında) lineer amplifikasyon ve anahtarlama görevleri için uygun karakteristikler sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok