Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5551

BJT TO-92 160V 600MA

Üretici
DComponents
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5551

2N5551 Hakkında

2N5551, DComponents tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu komponent, 160V kolektor-emitter gerilimi ve 600mA maksimum kolektor akımı ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frekansı, hızlı sinyal işleme gerektiren devreler için uygun özelliktedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 625mW güç dağıtabilir ve minimum 80 DC akım kazancına sahiptir. Ses amplifikatörleri, dar sinyal amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama devreleri başta olmak üzere pek çok uygulama alanında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok