Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5551
T-NPN SI- HIV AMP
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5551
2N5551 Hakkında
2N5551, NTE Electronics tarafından üretilen NPN tipinde silisyum bipolar transistördür. TO-92 paketinde sunulan bu komponent, genel amaçlı amplifikasyon ve düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200mA maksimum collector akımı ve 625mW güç sınırlaması ile düşük seviye sinyal işleme, ses amplifikasyonu, frekans kontrol devreleri ve logic drive uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 300MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalara uygundur. 160V breakdown voltajı ile endüstriyel kontrol ve otomasyon sistemlerinde de yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok