Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5550TF
TRANS NPN 140V 600MA TO92-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5550
2N5550TF Hakkında
2N5550TF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paket içinde sağlanan bu komponent, 140V collector-emitter gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 300MHz transition frequency ve 60'lık minimum DC current gain (hFE) değerleri ile genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama devreleri için uygun özelliklere sahiptir. Maksimum 625mW güç tüketimi ile, ses frekansı ve düşük frekans RF uygulamalarında tercih edilen bir tasarımdır. Through-hole montajı ile klasik PCB tasarımlarına entegrasyonu basittir. 150°C maksimum junksiyon sıcaklığı, sıcak ortam uygulamalarına dayanıklılık sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok