Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5550RLRP
TRANS NPN 140V 0.6A TO-92
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5550
2N5550RLRP Hakkında
2N5550RLRP, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paket içinde sunulan bu bileşen, 140V maksimum Vce breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 300MHz transition frequency ile sinyal amplifikasyon ve switching uygulamalarında kullanılabilir. Minimum 60 hFE DC current gain değeri ile sabit gain özellikleri sunar. 625mW maksimum güç tüketimi ile audio amplifikatörleri, genel amaçlı switching devreleri ve analog sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, arşiv ve restorasyon projeleri için kaynak olarak kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok