Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5550RLRA

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5550

2N5550RLRA Hakkında

2N5550RLRA, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, genel amaçlı switching ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 140V maksimum collector-emitter gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile orta güçlü uygulamalara uygundur. 300MHz transition frequency ile radyo frekans ve yüksek hızlı switching uygulamalarında tercih edilebilir. 625mW maksimum güç derecelendirmesi ve 60 (minimum) DC akım kazancı ile genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında, sinyal işleme ve kontrol devrelerinde kullanılabilir. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92 (TO-226)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 140 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok