Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5550/D26Z
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5550
2N5550/D26Z Hakkında
2N5550/D26Z, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, 600mA maksimum kollektör akımı ve 140V kesme voltajı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 300MHz transition frequency ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 625mW maksimum güç değerlendirmesi ve 60 (minimum) DC akım kazancı ile, frekans kompanzasyonu gerektirmeyen basit elektronik devrelerde tercih edilir. Düşük kolektör-emitter doyum voltajı (250mV) ile enerji verimli çalışır. TTL/CMOS lojik devreleri, audio amplifikatörleri, motor kontrol devrelerinde sıklıkla uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok