Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5550BU
TRANS NPN 140V 0.6A TO-92
2N5550BU Hakkında
2N5550BU, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörlü (BJT) tekil komponent olup TO-92 paketinde gelmektedir. 140V breakdown voltajı, 600mA maksimum collector akımı ve 625mW güç kapasitesi ile orta seviye uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, 10mA collector akımında minimum 60 DC current gain sağlamaktadır. Vce saturation voltajı 250mV'dir. Through hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenmesi mümkündür. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Ses amplifikatörleri, düşük sinyal uygulamaları, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı BJT uygulamalarında kullanılmaktadır. Bileşen halen üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok