Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5550
T-NPN SI- HIV AMP
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5550
2N5550 Hakkında
2N5550, NTE Electronics tarafından üretilen NPN silisyum BJT transistördür. Genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 600mA maksimum collector akımı ve 140V breakdown voltajı ile orta güç seviyesinde çalışabilir. 300MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, 625mW maksimum güç tüketimi ile sınırlanmıştır. TO-92 Through Hole paketinde sunulan 2N5550, -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. Ses amplifikatörleri, RF uygulamaları, anahtarlama devreleri ve genel sinyal amplifikasyonunda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok