Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5430

TRANS NPN 100V 7A TO66

Paket/Kılıf
TO-213AA
Seri / Aile Numarası
2N5430

2N5430 Hakkında

2N5430, NTE Electronics tarafından üretilen bir NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum kolektör akımı 7A, kolektör-emitter breakdown voltajı 100V ve maksimum güç dağılımı 40W olan bu transistör, TO-66 paketinde sunulmaktadır. 30MHz geçiş frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Amplifikatörler, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 7 A
Frequency - Transition 30MHz
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-213AA, TO-66-2
Part Status Active
Power - Max 40 W
Supplier Device Package TO-66
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok