Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5416UA/TR
POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N5416
2N5416UA/TR Hakkında
2N5416UA/TR, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi power BJT transistördür. Surface mount 4-SMD No Lead paketinde sunulan bu komponent, maksimum 1A collector akımı ve 300V collector-emitter breakdown voltajı ile güç uygulamalarında kullanılmaktadır. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Minimum 30 hFE DC current gain değeri ile özellikle anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 2V saturation voltajı ve 50µA maksimum collector cutoff akımı ile düşük güç tüketimli uygulamalarda yer alabilir. Elektronik kontrol sistemleri, motor sürücüleri ve anahtarlama devrelerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | UA |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok