Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5416U4
TRANSISTOR POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N5416
2N5416U4 Hakkında
2N5416U4, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipinde bir güç BJT transistörüdür. Surface mount U4 paketi ile sağlanan bu bileşen, maksimum 1A collector akımı ve 1W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Geniş işletme sıcaklık aralığında (-65°C ile +200°C) çalışabilen transistör, 300V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 50mA akımda 10V Vce'de minimum 30 değerindedir. 50µA maksimum collector cutoff akımı düşük sızıntı özellikleri sunar. Anahtarlama devreleri, amplifikatör tasarımları ve güç kontrolü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | U4 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok