Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5416S
PNP TRANSISTORS
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N5416
2N5416S Hakkında
2N5416S, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kasa içinde sunulan bu bileşen, 300V collector-emitter breakdown voltajı ve 750mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile karakterize edilir. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 50mA collector akımında ve 10V Vce'de minimum 30 değerindedir. Through-hole montajı destekler ve düşük frekans amplifikasyon, anahtarlama uygulamaları ile genel amaçlı sinyal işleme devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 750 mW |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok