Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5415
PNP 10W 200V 1A TRANSISTOR
2N5415 Hakkında
2N5415, onsemi tarafından üretilen PNP tip bipolar junction transistör (BJT) olup TO-39 through-hole paketinde sunulmaktadır. Maksimum 200V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A collector akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılan genel amaçlı transistördür. 1W maksimum güç tüketimiyle çeşitli analog ve dijital devre tasarımlarında, sinyal işleme, ses frekansı amplifikatörleri ve kontrol devrelerinde yer bulur. Minimum 30 hFE DC akım kazancı (50mA, 10V'da) ile yeterli akım yükseltme oranı sağlar. Part Status obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-39 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok