Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5401ZL1
TRANS PNP 150V 0.6A TO-92
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5401
2N5401ZL1 Hakkında
2N5401ZL1, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde gelen bu transistör, maksimum 150V Vce breakdown voltajı ve 600mA kolektör akımı ile çalışmaktadır. 625mW güç seviyesinde tasarlanmıştır. Minimum 60'lık DC current gain (hFE) değeri ile 10mA kolektör akımında ve 5V Vce'de çalışır. 300MHz transition frequency'si ile orta frekanslı uygulamalara uygun bir tasarımdır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, ses frekansı amplifikatörleri, düşük frekanslı sinyal işleme uygulamaları ve uzun süreli depolama gerektiren sistemlerde kullanılabilir. Through-hole montajı sağlayan uzun gövdeli formed leads yapısına sahiptir. Maksimum 50nA ICBO cutoff akımı ile düşük kaçak akıma sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok