Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5401TF

TRANS PNP 150V 0.6A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5401

2N5401TF Hakkında

2N5401TF, onsemi tarafından üretilen silisyum PNP bipolar junction transistörüdür. TO-92 paketinde sunulan bu komponent, 150V maksimum collector-emitter gerilimi ve 600mA collector akımı ile çalışabilmektedir. 625mW maksimum güç tüketimi ile orta seviye uygulamalar için tasarlanmıştır. 400MHz geçiş frekansına sahip olan transistör, 60 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, amplifikasyon, anahtarlama ve kontrol devreleri gibi genel elektronik uygulamalarında kullanılır. Düşük leakage akımı (50nA maksimum ICBO) ve 500mV doyma gerilimi özellikleri ile dikkat çeker. Eski üretim koşullarına ve devre tasarımlarına uyumlu olan parça, legacy sistemlerin onarım ve modifikasyonunda tercih edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 400MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok