Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5401TAR

TRANS PNP 150V 0.6A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5401

2N5401TAR Hakkında

2N5401TAR, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montajı için TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. 150V maksimum Vce derecelendirilmesi ve 600mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 625mW maksimum güç tüketimi ve 400MHz transition frequency ile analog amplifikasyon, anahtar devreler ve düşük frekanslı sinyal işleme uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Düşük sızıntı akımı (50nA maksimum ICBO) ve 500mV maksimum satürasyonu özellikleri sayesinde anahtarlama ve lineer amplifikasyon devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 400MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok