Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5401G
TRANS PNP 150V 0.6A TO-92
2N5401G Hakkında
2N5401G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 through-hole paketinde sunulan bu transistör, maksimum 150V kolektör-emitter gerilimi ve 600mA kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 625mW güç yayınlama kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ile sinyallerin anahtarlanması ve amplifikasyon işlemlerinde uygulanabilir. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, aydınlatma kontrolü ve genel amaçlı PNP transistör uygulamalarında tercih edilir. Düşük ICBO (50nA) ile minimal kaçak akımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok