Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5401,412

TRANS PNP 150V 0.3A TO-92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5401

2N5401,412 Hakkında

2N5401, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 150V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 300mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 630mW maksimum güç yeteneğine sahip olan bileşen, 10mA akımda minimum 60 DC akım kazancı (hFE) sağlar. 300MHz transition frequency'si ile hızlı anahtarlama uygulamalarında ve ses frekans amplifikatörlerinde tercih edilir. Through-hole montaj tipi sayesinde konvansiyonel PCB tasarımlarına uygun olup, endüstriyel ve tüketici elektroniği alanlarında geniş kullanım yelpazesine sahiptir. Ancak bileşen obsolete (üretimi sonlandırılmış) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 630 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok