Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5401,116
TRANS PNP 150V 0.3A TO-92
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5401
2N5401,116 Hakkında
2N5401, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistöründür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 150V maksimum Vce breakdown voltajı ve 300mA maksimum collector akımı ile çalışır. 630mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. DC current gain (hFE) minimum 60'tır (10mA, 5V koşullarında). Transition frequency 300MHz olup, geniş bant uygulamalarında kullanılabilir. 50nA maksimum ICBO (collector cutoff akımı) ile düşük sızıntı akımı gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Ses amplifikatörleri, inverter devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı PNP transistör gerektiren devrelerde kullanılan klasik bir bileşendir. Dikkat: Parça Obsolete (Sonlandırılmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 630 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok