Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5401
TRANS PNP 150V 600MA TO92-3
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5401
2N5401 Hakkında
2N5401, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 kapsülünde paketlenmiş bu komponent, 150V collector-emitter gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 625mW güç dağıtım kapasitesi ile düşük sinyale cevap veren kuvvetlendirme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve darbe biçimleyici devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 300MHz transition frequency ile orta hızlı komutasyon işlemlerine uygun tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 10mA collector akımında minimum 60 değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok