Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5401_J61Z

TRANS PNP 150V 0.6A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5401

2N5401_J61Z Hakkında

2N5401_J61Z, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu komponent, 150V collector-emitter gerilim dayanımına ve 600mA maksimum collector akımına sahiptir. 625mW güç dissipasyonu kapasitesine ve 400MHz transition frekansına göre tasarlanmıştır. Vce doyum gerilimi 500mV'tir (5mA tabanında, 50mA collector akımında). Minimal DC akım kazancı 60'dır (10mA collector akımında, 5V Vce'de). Collector kesme akımı 50nA'dır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Low-power switching ve amplifikasyon uygulamalarında, kontrol devreleri ve ses frekansı amplifikatörlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. Bileşen kalıcı olarak üretim dışı (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 400MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok