Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5401_D81Z

TRANS PNP 150V 0.6A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5401

2N5401_D81Z Hakkında

2N5401, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 150V collector-emitter breakdawn voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 625mW güç dağıtım kapasitesi, 400MHz transition frequency ve 60 minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile tasarlanmıştır. Vce saturation voltajı 5mA base akımında 50mA collector akımında 500mV'dur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu transistör, ses amplifikatörleri, düşük sinyal işleme devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj özelliğine sahip olup, klasik elektronik tasarımlarında kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 400MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok