Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5366
T-PNP SI-GEN PUR AMP SW
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5366
2N5366 Hakkında
2N5366, NTE Electronics tarafından üretilen silikon tabanlı PNP bipolar transistördür. Through Hole montaj tipi ile TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 500mA kolektör akımı, 40V kolektör-emitter gerilimi ve 625mW güç tüketim kapasitesi ile orta seviye elektrik uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile uygun akım amplifikasyon sağlar. Ses amplifikatörleri, röle kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 1V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 30mA, 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok