Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5210TF

TRANS NPN 50V 100MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5210

2N5210TF Hakkında

2N5210TF, Rochester Electronics tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V kolektor-emiter gerilimi ve 100mA kolektor akımıyla çalışır. 30MHz geçiş frekansı ve minimum 200 DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 625mW maksimum güç tüketimiyle, sinyal işleme, ses amplifikasyonu, motorlar ve sensörler gibi orta güçlü kontrol uygulamalarına uygundur. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition 30MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok