Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5210BU
2N5210 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5210
2N5210BU Hakkında
2N5210BU, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal NPN bipolar transistördür. TO-92 DIP paketinde sunulan bu transistör, 100mA maksimum collector akımı ve 50V breakdown voltajı ile çalışan uygulamalara uygundur. 30MHz transition frequency özelliği sayesinde orta seviye hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemleri için kullanılabilir. 625mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı nedeniyle, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreler ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilmektedir. DC current gain değeri 100µA collector akımında minimum 200 olup, saturation voltajı 10mA akımda 700mV'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100µA, 5V |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok