Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5210
T-NPN SI- AUDIO AMP
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5210
2N5210 Hakkında
2N5210, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum NPN bipolar transistördür. Ses amplifikasyon devrelerine uygun olarak tasarlanan bu bileşen, 625mW maksimum güç tüketimine sahiptir. 30MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. DC current gain (hFE) 250@10mA, 5V seviyesindedir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 700mV saturation voltajı ile genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. TO-92 paket tipi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 50mA maksimum collector akımı ile düşük ve orta güç uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok