Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5210_D81Z
TRANS NPN 50V 0.1A TO-92
2N5210_D81Z Hakkında
2N5210_D81Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışmaktadır. 30MHz transition frequency ile düşük frekanslı anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum güç dağılımı 625mW olup, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışır. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sinyal amplifikasyonu sağlayabilir. Küçük sinyal uygulamaları, genel amaçlı anahtarlama devreleri ve düşük güçlü amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılmıştır. Diyot ve sensör uygulamalarında da tercih edilebilir. Parça durumu kullanım dışıdır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100µA, 5V |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok