Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5210
2N5210 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5210
2N5210 Hakkında
2N5210, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde küçük sinyal bipolar transistördür. TO-92 paket içerisinde sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 50mA maksimum collector akımı, 250 minimum DC current gain (hFE) ve 30MHz transition frequency özellikleriyle, ses amplifikasyonu, RF uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanım için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olan 2N5210, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 625mW maksimum güç derecelendirmesiyle çeşitli analog ve dijital uygulamalarda yer bulabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok