Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5195G

TRANS PNP 80V 4A TO225AA

Paket/Kılıf
TO-225AA
Seri / Aile Numarası
2N5195

2N5195G Hakkında

2N5195G, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-225AA (TO-126) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 4A kolektör akımı, 80V collector-emitter bozulma gerilimi ve 40W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 2MHz transition frequency ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, ses ve güç amplifikatörlerinde, aydınlatma kontrol sistemlerinde ve benzeri uygulamalarda tercih edilir. Through-hole montaj özelliği nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition 2MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Part Status Active
Power - Max 40 W
Supplier Device Package TO-126
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.4V @ 1A, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok