Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5195

T-PNP SI- AF PO

Paket/Kılıf
TO-225AA
Seri / Aile Numarası
2N5195

2N5195 Hakkında

2N5195, NTE Electronics tarafından üretilen PNP silikon bipolar junction transistöridir (BJT). TO-126-3 ve TO-225AA paketlerinde sunulan bu transistör, 4A maksimum collector akımı ve 40W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 80V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güçlü uygulamalara uygun tasarlanmıştır. 2MHz transition frequency karakteristiği ile audio frekans aralığındaki anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Ses sistemleri, power amplifikasyon, motor kontrol ve switching uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition 2MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Part Status Active
Power - Max 40 W
Supplier Device Package SOT-32-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 1A, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok