Transistörler - JFET

2N5116

P-CHANNEL MOSFET TO-18

Üretici
Solid State Inc.
Paket/Kılıf
TO-18-2
Seri / Aile Numarası
2N5116

2N5116 Hakkında

2N5116, Solid State Inc. tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-18 metal kasa paketlemesinde sunulan bu komponent, 600 mV drain-to-source voltajı ve 150 Ohm on-state direnci ile anahtarlama ve güçlendirme uygulamalarında kullanılır. 500 mW maksimum güç dağıtım kapasitesine sahip olan 2N5116, 30V gate-to-source breakdown voltajı ile çalışır. 25 pF giriş kapasitansiyle (15V'de ölçülen), ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve analog sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile klasik elektronik tasarımlarına uyum sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 mV
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 15V
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Resistance - RDS(On) 150 Ohms
Supplier Device Package TO-18
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok