Transistörler - JFET

2N5116

P CHANNEL JFET

Paket/Kılıf
TO-18-2
Seri / Aile Numarası
2N5116

2N5116 Hakkında

2N5116, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel JFET transistördür. 25 mA drain akımı (Idss @ Vds=15V) ile karakterize edilen bu bileşen, 30 V maksimum drain-source gerilimi ve 175 Ohm RDS(On) direnç değerine sahiptir. TO-18 metal kaplı paketinde sunulan transistör, -65°C ile 200°C arasında çalışabilir. 500 mW güç disipasyonu kapasitesi ile düşük sinyalli ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 27 pF giriş kapasitansi, hassas analog devrelerde ve frekans kontrollü osilatör tasarımlarında tercih edilmesini sağlar. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolayca integre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 25 mA @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 15V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status Market
Power - Max 500 mW
Resistance - RDS(On) 175 Ohms
Supplier Device Package TO-18
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 4 V @ 1 nA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok