Transistörler - JFET
2N5115E3
JFET
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- 2N5115
2N5115E3 Hakkında
2N5115E3, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel JFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi, 100Ω RDS(On) direnci ve 500mW maksimum güç yeteneğine sahiptir. TO-18 metal kutu paketinde sunulan bu bileşen, geniş sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C arasında) çalışabilir. 25pF giriş kapasitesi ve 30V Breakdown voltajı özellikleriyle analog sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Küçük boyutu ve through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistance - RDS(On) | 100 Ohms |
| Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok