Transistörler - JFET

2N5114

P CHANNEL JFET

Paket/Kılıf
TO-18-2
Seri / Aile Numarası
2N5114

2N5114 Hakkında

2N5114, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel JFET transistördür. 90 mA drain akımı (Idss) ve 30 V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 75 Ohm kanal direnci (RDS(On)) ve 25 pF giriş kapasitansı ile karakterize edilen bu transistör, analog sinyal işleme, ses amplifikatörleri, ön kademeler ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-18 metal kasa paketinde sunulan komponent, -65°C ile 200°C arasında çalışabilir ve 500 mW güç kapasitesine sahiptir. Düşük gürültü özelliği sayesinde hassas ölçüm ve sinyal işleme devrelerinde de uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 90 mA @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 15V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Resistance - RDS(On) 75 Ohms
Supplier Device Package TO-18 (TO-206AA)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 10 V @ 1 nA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok