Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5014S
TRANSISTOR NPN TO-39
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N5014
2N5014S Hakkında
2N5014S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kılıf paketinde sunulan bu transistör, 200 mA maksimum collector akımı ve 900V collector-emitter breakdown voltajı ile karakterizedir. 1W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 20mA collector akımında ve 10V Vce'de minimum 30 değerindedir. Saturation voltajı 5mA base akımı ve 20mA collector akımında maksimum 1.6V'tur. -65°C ile +200°C arasındaki geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük collector cutoff akımı (10nA) ile karakterizedir. Through-hole montaj tipi kullanılan bu bileşen, eski tasarımlar ve retrofit uygulamalarında kullanım için tedarik edilebilir. Obsolete durum nedeniyle yeni tasarımlarda yerine geçen modern transistörler tercih edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 5mA, 20mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok