Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5013S
TRANSISTOR NPN TO-39
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N5013
2N5013S Hakkında
2N5013S, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kılıfında sunulan bu transistör, 200mA maksimum collector akımı ve 800V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 1W maksimum güç dağılımına sahip olan bileşen, -65°C ile +200°C arasında çalışır. DC current gain (hFE) minimum 30 değerinde belirtilmiştir. Esas olarak anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç kontrolü gerektiren uygulamalarda ve klasik endüstriyel elektronik tasarımlarında yer bulmuştur. Obsolete durumdaki bu komponent, retro uygulamalar ve eski cihaz tamiriyle sınırlı olarak temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 5mA, 20mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 800 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok