Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5012S
TRANSISTOR NPN TO-39
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N5012
2N5012S Hakkında
2N5012S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal can paketinde sunulmaktadır. Maksimum collector akımı 200mA, collector-emitter break-down voltajı 700V ve 1W güç dağıtımı kapasitesi ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. 30 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 25mA collector akımında ve 10V VCE'de çalıştırılabilir. -65°C ile 200°C arasında geniş sıcaklık aralığında işletim yapabilir. Yapısı gereği kontrollü anahtarlama, düşük frekanslı amplifikasyon ve sinyal işleme devrelerinde uygulanır. Obsolete durumda olması nedeniyle yeni tasarımlarda yerine 2N2222 veya benzeri modern NPN transistörler tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 5mA, 25mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok