Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N4912

TRANS PNP 80V 4A TO66

Paket/Kılıf
TO-213AA
Seri / Aile Numarası
2N4912

2N4912 Hakkında

2N4912, NTE Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-66 kasa tipinde sunulmaktadır. Maksimum collector akımı 4 A, collector-emitter breakdown voltajı 80 V ve maksimum güç dissipasyonu 25 W olan bu bileşen, orta güç amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Through hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenebilen 2N4912, ses amplifikasyonu, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-213AA, TO-66-2
Part Status Active
Power - Max 25 W
Supplier Device Package TO-66 (TO-213AA)
Transistor Type PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok