Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N4449UB
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N4449
2N4449UB Hakkında
2N4449UB, Microchip Technology tarafından üretilen Surface Mount NPN bipolar transistördür. 20V Collector-Emitter breakdown voltajı ve 360mW maksimum güç dağılımı özelliğine sahiptir. DC Current Gain değeri 100mA, 1V koşullarında minimum 20'dir. 450mV VCE saturation voltajı (10mA base, 100mA collector akımında) ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Genel sinyal işleme, anahtarlama devreler, amplifikasyon ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 400nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 360 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok