Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N4400TAR
TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
2N4400TAR Hakkında
2N4400TAR, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistöre (BJT) örneğidir. TO-92 Through Hole paketinde sunulan bu komponent, maksimum 40V Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile çalışır. 625mW maksimum güç sınırlaması ile düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklık aralığında güvenli çalışma sağlar. Minimum 50 hFE DC akım kazancı özellikleri ile haberleşme, ses ve sensorik uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu komponent obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 150mA, 1V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok