Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N4123
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N4123
2N4123 Hakkında
2N4123, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal NPN bipolar junction transistörüdür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve yükselten uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 200mA maksimum kolektör akımı, 30V breakdown voltajı ve 250MHz transition frekansı ile düşük güç seviyesinde çalışan devreler için uygundur. 350mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, darbe üreteçleri, inverter devreleri ve aydınlatma kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) sayesinde endüstriyel ve otomotiv ortamlarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 2mA, 1V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok