Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N4123
T-NPN SI- GEN PUR AMP
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N4123
2N4123 Hakkında
2N4123, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum NPN bipolar junction transistöründür. Genel amaçlı sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200mA maksimum kollektor akımı, 250MHz transition frequency ve 350mW güç dağılımı kapasitesi ile düşük ve orta frekanslı devre tasarımlarında tercih edilir. TO-92 paketine sahip olan bu komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 30V breakdown voltage ve 50 minimum DC current gain özellikleri sayesinde RF amplifikatörleri, ses amplifikasyonu, lojik devreler ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 2mA, 1V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok